我们的CMOS制程就是做出NMOS和PMOS,再复杂的电路对我们FAB来讲也就是NMOS+PMOS,那我们总不希望这两个MOS之间互相漏电吧,所以MOSFET之间的隔离技术应运而生。以前我给学员们讲课总是会直观的说,我们的MOS为有源器件(因为需要有两...

很久没有写文章了,客观原因是电脑坏了,主观原因是不知道写什么。类似我们的学习,我们很想好好学习,很想像某人一样功成名就,每个人都是上进的,科学的方法和明确的计划才是最重要的。看来我的反思如何把《芯苑》走的更远,希望大...

随着半导体制程越来越复杂,我们最关键的参数Vt的控制越来越重要,有的时候我们的Vt如果单纯是衬底浓度影响我们自然可以通过长沟和短沟以及NMOS和PMOS是否同时变动来确定是否是GOX还是Vt_IMP的问题,其实这也是一种correlation它其实...

昨天已经讲完了栅极材料的演变(Gate Electrode),当然伴随它一起的自然就是栅极介质层(Gate Dielectric),记住我讲的是栅极介质层,不是我们平常讲的栅极氧化层(Gate Oxide),早期我们讲的MOSFET的介质层就是我们狭义讲的Oxide,但是...

半导体制程技术的发展最为曲折离奇的故事应该算是栅极了,从MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)的第一个字母我们就知道曾经的曾经这个栅极材料还是Metal Gate呢,可是现在8寸的主流又是Poly Gate了,到了12寸的45nm以下又还原到Meta...

最近半导体界比较hot的新闻比较多,抛开我们公司(tsmc, 2330)和友公司的10nm和7nm互相宣传外,另外一个新闻便是GlobalFoundry(俗称女朋友)7月14日高调宣布22nm的FD-SOI制程的“22FDX"制程平台。这可是全球首家,当制程节点走向28nm以...

上一篇文章专题介绍晶圆制备,如何制备集成电路制造专用的衬底晶圆片?我们一般6/8寸的logic、MS制程用的都是抛光片(polish wafer),这种圆片都是在坩埚里面单晶直拉法拉的晶棒(ingot),然后切割(saw)成一片片的wafer,再经过抛光退...

我们所讲的半导体制造,它的载体一定是晶圆(Wafer),这个东西是怎么来的?我们今天就来好好讲讲。 前面讲N-Si和P-Si掺杂的时候讲过了,我们的Si一定都是单晶晶格的,而掺杂的原子必须跑到它的晶格上与Si形成共用电子对的共价键后多出...

黄光的部分应该只剩下光罩了,你复制图形,一定的有底片吧,其实光罩就是我们洗照片的底片。我们照相都是先拍照获得底片,再用底片去复制图形/照片,而我们的Mask shop就类似照相的拍出底片,而我们的黄光就是利用底片/光罩来复制转...

乘着兴致,把黄光讲完吧,估计我也就懂这些了,我没讲到的期待有人能够补充发表,感谢。 其实光刻的重要衡量参数就两个,一个是特征尺寸(CD),一个是对位控制(Overlay)。今天我们讲解的东西就是对位,顺便讲下光罩。 1、首先讲对位(A...

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