才讲完SiC和GaN的一些概论,赶快乘热把器件工作原理都讲完吧,不然又该落下了。再次谢谢给我鼓励和给我资料的朋友们。 从上一份总结里面已经说明SiC和GaN都是宽禁带半导体材料,而且禁带宽度都几乎是Silicon的三倍,所以都非常适合功...

最近MtM (超摩尔定律)的热门话题应该是电力电子以及5G了,刚好这两个半导体制造都要用到一个叫做宽禁带的半导体材料,我就来总结一下吧,抛砖引玉供大家入门学习。 半导体产业的发展一共分三个阶段,第一代半导体材料是硅(Si),第二代...

前年发了一篇关于IGBT的文章--“大功率器件-《从PowerMOS到IGBT》”,今年一下子火了。所以趁热打铁吧,继续来点干货吧。 资料比较零散,想到哪写到哪,但是绝对没有废话。实在是工作生活都很忙,没时间搞那些排版什么的,大家将就看了...

我们都知道肖特基二极管(SBD)的特性就是快,因为他的PN结只有一边是Si,另一边是金属,所以它是单边耗尽区,所以快。最近汽车电子火热了,炒作了IGBT,随之而来的是他的“伴侣”芯片-FRD(快恢复二极管),也是为了提高IGBT的恢复时间(T...

很久没有自己写了,最近看了一篇不错的文章,想来对大家也有用就转译过来。四级没过翻译不好请见谅(还是比一键翻译强吧~凑合看看吧),另外本文涉及的各种理论公式都会跳过,想看原文的地址如下:https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pmc/ar...

"Fast is fine, but accurancy is more important!" said by a famous man. 最近看BJT的东西比较多,其实真要做好analog,还真离不开BJT,除了“快”他更"精准",高性能的带隙基准(Bandgap)或者 Voltage reference真离不开它。 在没开...

二极管说起来很简单,其实就是一个PN结,对他的特性也许很多人都能如数家珍,比如正向截止反向导通,正向加压(forwad bias)耗尽区变窄跨过PN结的内建电势(Vb)就导通了,反向加压(Reverse Bias)会使得耗尽区变宽,直至雪崩击穿(Avalan...

在这个万物互连的时代,Power is Everything!所以电子产品厂商们一直在挑战电池的化学特性以及空间缩小的极限来放更大的容量,然而我们半导体人的贡献就在于给电源配一个电源管家(PMIC: Power Management IC),来给各个components提...

  继续为小平敬上第二篇《FinFET-MultiGate Transistor》,希望你笑纳。 讲起FinFET当然是很advanced的东西,尤其大陆现在还停留在28nm的时候,自然对这玩意还很陌生,不过究其源头还是要从传统的平面MOS讲起。 传统的MOS我们已...

静态随机存储器-SRAM

  应孔维同学的要求,加急写一篇SRAM的文章。不过为了照顾大部分群体,我还是要从最基本的讲起。 我前面有一篇文章讲flash的,它和SRAM一样都属于半导体存储器,只是隶属于不同分类。半导体存储器主要分为两类:非挥发性(NVM: Non-Volatile Memrory)和易挥发性(Volatile),前面讲的flash就是...

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