Snap-Back和Latch-up应该是CMOS寄生特性里面最经典的理论了,其实他两个是同一个东西,都是NMOS和PMOS的寄生三极管等效电路开启进入正反馈状态下的回路导通状态,叫做Snap-back是因为当寄生回路触发导通之后,会迅速进入低阻状态,所...

CMOS是半导体制造或者器件的最basic,所以我选择专题讲解CMOS与非门,从CMOS与非门的工作原理到电路分析到芯片解剖,刚好这是我大学的毕业设计现成的材料。这次写的最轻松了,不过也是原创哦,虽然是十年前的,哈哈~~。虽然十年了,...

前面几乎讲了MOS的结构原理,热载流子(HCI),穿通(Punch Trough),亚阈值(Swing/St),长沟、短沟、宽沟、窄沟等特性。几乎基本的都讲完了,还剩下一点就是DIBL和GIDL了(以前在学校,我总分不清这两个关系),后面再说Burried Channel...

MOS器件的深度解析

前面几节几乎从结构上介绍了MOS的原理和特性,但是随着尺寸越来越小,电压越来越,很多我们可以忽略的寄生特性(Parisitic)以及我们称之为二级效应的关注点开始变得不可忽略,今天我们就来聊一聊吧。 1. 衬偏效应(Body Effect):我们...

CMOS器件进阶版讲解

上一篇介绍了简单的MOS的历史和原理结构介绍,应该能够建立起比较基础的认识了,下面我们继续讲讲MOS的特性以及半导体人该关注的制程要点。 先简单回顾下MOS的重要参数开启电压,也叫阈值电压,英文叫做Threshold Voltage (Vth)。就...

编者注:这个只适用于没有基础的common course,如果大家了解的话直接跳过,不过可以简单看看发展史吧。 上一章节我们讲过BJT Device,如果大家还记得的话,它应该电流工作型器件,而且是双载流子(Hole/Electron)同时工作的。所以它...

  编者注:感谢老唐,让我暑假加入重庆邮信半导体,我喜欢动手其乐无穷,那时候虽然做的3inch,7um的Bipolar,在金相显微镜下用镜头上的刻度尺量测,现在想想好低端,但那时候对我来说觉得好伟大。第一次当我自己扎上我自己的de...

学习半导体器件,必须读懂PN结(PN junction),它是所有器件理论的基础,所以的器件都是靠PN结组成的,不学PN结,讲device就是空中楼阁。 我们知道硅(台湾叫“矽”, Si)是半导体,导电性介于导体和绝缘体之间。不是说它的节电(dielectric...

前段flow中非常key的两个尺寸一个是有源区尺寸"W"(OD or AA),一个叫Poly长度"L"。这两个纠结的尺寸真正决定了半导体器件的性能,Isat=W/L*beta(Vd-Vt)^2。究竟"W"和"L"是如何影响器件的?原理又是什么? 简单讲就是: LOCOS时代:W减...

1. Flow: Well-->GOX-->POLY-->LDD/Halo-->Spacer-->S/D_IM-->S/D_Anneal 2. SIMS图: 决定半导体器件的特性,主要来自各个区域的掺杂浓度,前两张分别是N/PMOS的沟道区从表面到Well下面的各种杂质的浓度分布。最后...

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