pMOSFET的可靠性-NBTI

当我们提起NMOS的可靠性的时候,大家随口就说HCI (Hot Carrier Injection),她主要是由于短沟道效应导致的电子碰撞产生电子空穴对,而空穴被垂直栅极电场推进了substrate就成了Isub,而电子被Inject到gate端,与Si/SiO2的界面Si-H键...

随着MOSFET的尺寸越来越小,栅极介质层的厚度也是越来越薄。作为MOSFET的核心,Gate OXide的可靠性一直都是最主要的制约器件是否可以量产的因素之一。前面我们几乎讲完了Gate Electrode和Gate Dielectric两个部分,今天我们该趁热打...

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